Форм-фактор | M.2 2280 |
Объем памяти | 2 ТБ |
Тип ячеек памяти | V-NAND 3-bit MLC |
Интерфейс | PCIe 4.0 x4 |
NVMe | Поддержка протокола NVMe |
Контроллер | Samsung in-house Controller |
Скорость чтения | 7450 |
Скорость записи | 6900 |
Время наработки на отказ | 1.5 млн |
Ударостойкость | 1500 |
Потребляемая мощность | 8.5 Вт |
Рабочая температура | От 0 до 70 |
Дополнительно |
Поддержка шифрования: AES 256-битное шифрование (Class 0), TCG/Opal, IEEE1667 (Шифрованный привод) Поддержка алгоритма автоматической сборки мусора GC Поддержка TRIM Поддержка S.M.A.R.T Кэш память Samsung 2GB Low Power DDR4 SDRAM Поддержка спящего режима |
Габариты | 80 x 22 x 2.3 |
Вес | 9 |
Статус SSD | Новый |
Комплектация | SSD-диск |
Comments (0)
Только зарегистрированные пользователи могут оставлять комментарии