Форм-фактор | M.2 2280 |
Объем памяти | 512 ГБ |
Тип ячеек памяти | V-NAND MLC |
Интерфейс | PCIe 3.0 x4 |
NVMe | Поддержка протокола NVMe |
Контроллер | Samsung Phoenix |
Скорость чтения | 3500 |
Скорость записи | 2700 |
Ресурс записи (TBW) | 600 |
Время наработки на отказ | 1.5 млн |
Ударостойкость | 1500 |
Потребляемая мощность |
0.3 Вт (в режиме простоя) 5.2 Вт (при чтении) 8.5 Вт (при записи) |
Рабочая температура | От 0 до 70 |
Температура хранения | От −40 до +85 |
Дополнительно |
Объем DRAM Cashe DDR4 512 МБ SDRAM Поддержка S.M.A.R.T Накопитель с 256-битным аппаратным шифрованием AES и TCG/Opal IEEE1667 Поддержка технологии GC (Garbage Collection) |
Габариты | 80.15 x 22.15 x 2.38 |
Вес | 8 |
Комплектация | SSD-диск |
Comments (0)
Только зарегистрированные пользователи могут оставлять комментарии