Форм-фактор | 2.5″ |
Обсяг пам'яті | 500 ГБ |
Тип елементів пам'яті | V-NAND MLC |
Інтерфейс | SATA III |
NVMe | Без підтримки протоколу NVMe |
Контролер | Samsung MJX |
Швидкість читання | 550 |
Швидкість запису | 500 |
Ресурс записи (TBW) | 300 |
Час напрацювання на відмову | 1.5 млн |
Ударостійкість | 1500 |
Споживана потужність | 4 Вт |
Робоча температура | Від 0 до 70 |
Додатково |
Samsung 512 MB Low Power DDR4 SDRAM Підтримка технології GC (Garbage Collection) Підтримка WWN AES 256-бітове шифрування (клас 0) TCG/Opal IEEE1667 Випадкове читання (4 КБ, QD32): до: 98 000 IOPS Випадкове читання (4 КБ, QD1): до 10000 IOPS Випадковий запис (4 КБ, QD32): до 90 000 IOPS Випадковий запис (4 КБ, QD1): до 42 000 IOPS |
Габарити | 100 x 69.85 x 6.8 |
Вага | 50 |
Комплектація | SSD-диск |
Для відновлення паролю введіть свій e-mail, який ви вказали при реєстрації
Comments (0)
Только зарегистрированные пользователи могут оставлять комментарии